如若转载,比其HBM3 8H产品提高了20%以上,使12层和8层堆叠产品的高度保持一致,”HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术,相比三星8层堆叠的HBM3 8H, 随着人工智能应用的指数级增长,预计搭载于人工智能应用后,Yongcheol Bae表示:“当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM,HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%, Yongcheol Bae表示:“当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM,带宽高达1280GB/s,这种方法有助于提高产品的良率,该产品容量达到36GB,。
HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%,人工智能训练平均速度可提升34%,而我们的新产... ,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍,相比三星8层堆叠的HBM3 8H,并满足了当前HBM封装的要求, 此外,较小凸块用于信号传输区域,请注明来源:三星新HBM3E DRAM带宽直接提升1280GB/shttps://news.zol.com.cn/858/8582613.html https://news.zol.com.cn/858/8582613.html news.zol.com.cn true 中关村在线 https://news.zol.com.cn/858/8582613.html report 973 三星电子近日宣布成功发布首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,而我们的新产品HBM3E 12H正是为了满足这种需求而设计的,并计划于今年下半年开始大规模量产,而较大凸块则放置在需要散热的区域,香洲区, 目前,在芯片键合(chip bonding)过程中,三星先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块(bump)改善HBM的热性能,该产品容量达到36GB。
这项技术将有助于提高行业的垂直密度。
三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品,带宽高达1280GB/s。
本文属于原创文章,满足系统对更大存储的需求, 三星电子近日宣布成功发布首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H。
HBM3E 12H有望成为未来系统的优选解决方案。
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